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  • 07
    2025-05
    日常清潔是優(yōu)化維護(hù)蒸發(fā)臺(tái)坩堝的基礎(chǔ)工作。每次使用完畢后,需及時(shí)清理坩堝內(nèi)壁殘留的物料,降低物料堆積硬化的可能性,以免影響后續(xù)蒸發(fā)效果。
  • 06
    2025-05
    日常清潔是優(yōu)化維護(hù)蒸發(fā)臺(tái)坩堝的基礎(chǔ)工作。每次使用完畢后,需及時(shí)清理坩堝內(nèi)壁殘留的物料,降低物料堆積硬化的可能性,以免影響后續(xù)蒸發(fā)效果。
  • 06
    2025-05
    從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)層面來(lái)看,蒸發(fā)臺(tái)行星鍋別具一格的行星運(yùn)動(dòng)模式,讓鍋內(nèi)物料能夠多維度、多角度地受熱。與傳統(tǒng)蒸發(fā)設(shè)備相比,這種結(jié)構(gòu)大大增加了物料與加熱面的接觸機(jī)會(huì),使得熱量傳遞更均勻高效,進(jìn)而加速了蒸發(fā)過(guò)程。
  • 06
    2025-05
    離子源弧光室在結(jié)構(gòu)優(yōu)化方面取得的進(jìn)展,對(duì)離子束有著顯著影響。優(yōu)化后的內(nèi)部構(gòu)造能夠更為有效地引導(dǎo)放電行為,減少離子生成過(guò)程中的紊亂現(xiàn)象,從而讓離子束流的穩(wěn)定性得到提升。
  • 06
    2025-05
    蒸發(fā)臺(tái)配件中的蒸發(fā)源是決定鍍膜材料蒸發(fā)速率和分布的核心部件。優(yōu)化后的蒸發(fā)源能夠更精準(zhǔn)地控制蒸發(fā)量,確保鍍膜材料在基底上均勻沉積。
  • 15
    2025-04
    當(dāng)注入機(jī)離子源燈絲處于理想工作狀態(tài)時(shí),能夠穩(wěn)定地發(fā)射電子,使得氣體電離過(guò)程平穩(wěn)進(jìn)行,這有助于產(chǎn)生分布均勻、束流強(qiáng)度穩(wěn)定的離子束。而若燈絲出現(xiàn)老化、局部過(guò)熱等問(wèn)題,會(huì)導(dǎo)致電子發(fā)射不穩(wěn)定。
  • 15
    2025-04
    在半導(dǎo)體制造的離子注入工序里,注入機(jī)離子源配件發(fā)揮著核心功能。它負(fù)責(zé)產(chǎn)生并精確調(diào)控離子束,將特定離子精準(zhǔn)地注入到半導(dǎo)體材料內(nèi)部。
  • 15
    2025-04
    隨著新興半導(dǎo)體技術(shù)不斷向前發(fā)展,半導(dǎo)體設(shè)備配件也將持續(xù)優(yōu)化。在更多新興技術(shù)領(lǐng)域中,半導(dǎo)體設(shè)備配件有望發(fā)揮重要效能,推動(dòng)這些技術(shù)不斷突破,擁有廣闊的應(yīng)用前景。
  • 15
    2025-04
    在光刻環(huán)節(jié),丹東半導(dǎo)體設(shè)備可以精確控制光刻的精度。通過(guò)性能優(yōu)良的光學(xué)系統(tǒng)和精準(zhǔn)的移動(dòng)控制技術(shù),將設(shè)計(jì)好的電路圖案準(zhǔn)確地投影到硅片上,讓每一個(gè)電路的細(xì)節(jié)都能精準(zhǔn)呈現(xiàn),為提高芯片的集成度和性能提供支持。
  • 15
    2025-04
    丹東離子源配件可精準(zhǔn)調(diào)節(jié)離子束各項(xiàng)指標(biāo),把離子按需求注入半導(dǎo)體材料內(nèi),確保芯片制造的高精度與高良品率。在當(dāng)下熱門(mén)的 5G 芯片、高性能運(yùn)算芯片制造中,其精確控制離子注入位置與數(shù)量的能力,有力保障了芯片在高速運(yùn)算、低功耗等方面的良好表現(xiàn),為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展筑牢根基。